«Ангстрем» заменит большую часть импортной космической микроэлектроники на отечественную

Специалисты ОАО «Ангстрем» приступили к испытаниям макетных образцов современной силовой радиационно-стойкой микроэлектроники. По окончании этих работ станет возможным заменить на отечественную до 90% иностранной микроэлектроники, используемой сейчас в стратегических отраслях экономики России.

На сегодня всего несколько стран в мире обладают компетенцией по выпуску микроэлектроники, способной функционировать в экстремальных условиях. В 2015 году Минпромторг России объявил ряд конкурсов на выполнение опытно-конструкторских работ (ОКР) в рамках государственной программы «Развитие промышленности и повышение ее конкурентоспособности».

В конце прошлого года ОАО «Ангстрем» выиграло три таких конкурса: ОКР «Сила-14», ОКР «Сила-16» и ОКР «Сила-И8». Общая стоимость работ составляет 548 миллионов рублей.

По словам генерального директора ОАО «Ангстрем» Константина Носова, победа в тендере подтвердила статус завода как лидера отечественной микроэлектронной промышленности: «Сегодня «Ангстрем» это лидер в области производства электронной комплектующей базы, способный выпускать силовую микроэлектронику в промышленных масштабах. Причем не только воспроизводить старые разработки, но и активно предлагать рынку новую продукцию. Мы уже сейчас готовы заменить импортную силовую электронику на железных дорогах, в ЖКХ и в автомобилестроении».

По словам директора Центра микроэлектроники, главного конструктора ОАО «Ангстрем» Павла Машевича, выполнение ОКРов позволит заменить на отечественные изделия порядка 90% иностранной силовой микроэлектроники, используемой сейчас в приборах специального назначения: «Буквально за два года мы должны наверстать тот разрыв в создании и производстве электронной компонентной базы, который образовался у нас в результате провала конца 80-х и 90-х годов прошлого века. Целью ОКРов является отработка технологии производства новейшего поколения ЭКБ для стратегически важных, военной и космической, сфер».

Самой масштабной является задача по ОКР «Сила-И8». Специалисты «Ангстрема» должны разработать целую серию мощных быстродействующих n- и p- канальных МОП (метал-оксид-полупроводник) транзисторов в металлопластмассовых и герметичных металлокерамических корпусах, которые заменят импортные аналоги.

Не менее важной является работа по ОКРу «Сила-14» - «Разработка и освоение производства серии мощных ДМОП транзисторов (МОП транзисторы с двойной диффузией) от 60 В до 250 В для аппаратуры космического назначения». В мире сейчас только один производитель, причем не российский, выпускающий подобные изделия.

В феврале начались внутренние испытания макетных образцов по всем трем ОКРам. Опытные экземпляры новых радиационно-стойких транзисторов компании «Ангстрем», а также их характеристики, будут доступны для разработчиков радиоэлектронной аппаратуры уже в 2017 году, а серийное производство этих изделий планируется запустить с 2018 г.